上次我们说过TFT液晶屏的起源，今天我们继续谈下去TFT液晶屏的发展历史，看看我们的TFT究竟是一个怎样的发展过程。
TFT液晶屏的发展历史始于20世纪80年代初，几家日本半导体公司正在动态存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)半导体工艺技术在工业中的应用TFT屏幕工艺，并结合LCD成功开发了非晶硅和多晶硅技术TFT-LCD。1982年，日本三洋公司开发了非晶硅TFT-LCD，主要用于3~5英寸小电视。同年，精工爱普生采用准分子激光退火(ELA：ExcimerLaserAnnealing)制作多晶硅的方法TFT并成功开发了3英寸多晶硅TFT-LCD产品。1985年，松本提出使用多晶硅TFT制作驱动IC的概念。多晶硅TFT技术分为高温多晶硅技术和低温多晶硅技术，两种技术最大的区别是成膜温度不同。制造高温多晶硅TFT成膜温度为600℃因此，高熔点的石英基板被用来制造低温多晶硅TFT成膜温度为450℃下面，可以在玻璃基板上成膜，制成类似非晶硅的硅胶TFT-LCD的显示器。
20世纪80年代中期后期Si系列的TFT高温多晶硅、低温多晶硅和非晶硅是液晶屏发展的主要方向。由于石英基板的尺寸较小，因此高温多晶硅TFT-LCD大部分尺寸限制在2~3英寸，主要用于小型高精度投影仪或投影电视等产品。低温多晶硅TFT电子迁移率远高于非晶硅TFT因此，人们普遍认为低温多晶硅具有电子迁移率TFT-LCD将完全取代非晶硅TFT-LCD。但是非晶硅TFT-LCD工艺不断突破技术瓶颈，在制造工艺、基材尺寸、成本、质量、产品合格率等方面始终领先于低温多晶硅TFT-LCD随着时间的推移，人们逐渐意识到非晶硅TFT-LCD不太可能被替换。尽管在20世纪90年代末，玻璃基板上的集成驱动器被提出IC然而，由于产品的应用领域和未来的发展方向不明确，低温多晶硅TFT工业化进程非常缓慢，甚至在20世纪90年代末，在低温多晶硅TFT-LCD一些投资巨大的日本公司，在经营上遇到困难，最终不得不与其他公司合并。直到21世纪初纪初，PDA随着对各种便携式电子产品的需求不断增加，低温多晶硅技术以其卓越的优势TFT基于电学特性，在集成周边电路、高分辨率/高精度、高开口率等方面逐渐显现出优势，促成了低温多晶硅TFT-LCD市场发展。近年来低温多晶硅TFT引人注目的应用领域是有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightingEmittingDiode，AMOLED)。
尽管非晶硅TFT工业化过程中也遇到了很多困难，但是非晶硅TFT近20年来，生产工艺简单，大尺寸基板批量生产具有行为特点LCD屏幕行业不断开拓新的应用领域。1986年非晶硅TFT技术开始应用于液晶电视产品，但直到1990年，产品仅限于3~5英寸的小电视。夏普于1991年正式推出，玻璃尺寸为400mm×320mm的TFT-LCD从那时起，生产线拉开了液晶面板向大尺寸发展的帷幕。在这条生产线上，每个玻璃基板可以切割4片8块.4英寸或2片10.4英寸面板。随着玻璃基板的尺寸越来越大，TFT液晶面板的种类越来越多样化，应用范围逐渐从小电视扩大到笔记本电脑、台式电脑等电子产品，如表1.1.1所示。另一方面，大型玻璃基板也提高了液晶面板的生产效率，降低了生产成本。1998年，液晶显示器的实际售价降至10万日元以下(约7000元人民币)，拉开了液晶显示器市场普及的帷幕。
